دیتاشیت BC817-40QAZ
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
BC817-40QAZ
|
حجم فایل |
54.001
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
15
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Nexperia BC817-40QAZ
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
500mA
-
Power Dissipation (Pd):
300mW
-
Transition Frequency (fT):
100MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
250@100mA,1V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
45V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
700mV@500mA,50mA
-
Package:
DFN-3(1x1)
-
Manufacturer:
Nexperia